Cổ phiếu Intel Corporation (INTC): Sản xuất thử nghiệm 18A-P thúc đẩy lộ trình xưởng đúc

TLDR

• Intel tăng 3,05% khi 18A-P bước vào sản xuất rủi ro tại VLSI.
• INTC tăng khi Intel Foundry xác nhận tiến độ lộ trình 18A-P.
• Intel 18A-P bổ sung các cải tiến về năng lượng, hiệu suất và tính linh hoạt trong thiết kế.
• Intel phác thảo công việc thu nhỏ chip trên CFET, GaN và ruthenium.
• Bản cập nhật Intel Foundry hỗ trợ cổ phiếu INTC sau phiên giao dịch biến động.

Cổ phiếu Intel Corporation (INTC) tăng lên 120,61, tăng 3,05%, sau khi một phiên giao dịch biến động kết thúc với sự phục hồi vững chắc. Cổ phiếu giảm sớm, nhưng sau đó lấy lại đà và ổn định gần mức cao nhất trong ngày. Diễn biến này diễn ra sau các cập nhật mới từ Intel Foundry tại Hội nghị chuyên đề VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P bước vào sản xuất rủi ro

Intel Foundry cho biết Intel 18A-P đã bước vào sản xuất rủi ro, đúng với lịch trình đã chia sẻ với khách hàng năm ngoái. Bản cập nhật đánh dấu cải tiến hiệu suất đầu tiên trong dòng quy trình Intel 18A. Nó cũng củng cố thông điệp của Intel về việc thực thi xưởng đúc dài hạn.

Công ty giới thiệu Intel 18A-P như một bản nâng cấp tương thích thiết kế so với Intel 18A. Nhờ khả năng tương thích đó, khách hàng có thể tái sử dụng tài sản trí tuệ và quy trình thiết kế hiện có. Cách tiếp cận này có thể giảm ma sát khi các nhà thiết kế chip chuyển sang quy trình nâng cao hơn.

Intel cho biết 18A-P mang lại hiệu suất cao hơn 9% ở cùng mức năng lượng. Nó cũng giảm 18% năng lượng ở cùng mức hiệu suất. Trong khi đó, quy trình này bổ sung các tính năng nhiệt tốt hơn và các tùy chọn thiết kế rộng hơn.

Các cập nhật quy trình hỗ trợ cải thiện hiệu suất và năng lượng

Intel giới thiệu Power Boost, một tùy chọn transistor hai tiếp điểm dành cho Intel 18A-P. Tính năng này giảm điện trở, tăng dòng điều khiển và hỗ trợ tần số cao hơn ở điện dung tương đương. Kết quả là, các nhà thiết kế có thêm một con đường để cải thiện hiệu suất chip.

Công ty cũng báo cáo điện trở nhiệt tốt hơn từ 20% đến 40%. Intel trích dẫn điện trở via tốt hơn từ 10% đến 30% thông qua các thay đổi về vật liệu và hình học. Các cập nhật này nhắm mục tiêu vào dòng nhiệt, phân phối năng lượng và chuyển động tín hiệu qua các lớp chip.

Intel cũng bổ sung các tùy chọn transistor tiết kiệm năng lượng và hiệu suất cao mới. Nó bao gồm cặp ngưỡng điện áp logic thứ năm giữa ULVT và LVT. Do đó, các nhà thiết kế nhận được sự linh hoạt hơn khi cân bằng tốc độ, năng lượng và hiệu quả.

Các bài thuyết trình VLSI bổ sung bối cảnh dài hạn

Intel sử dụng sự kiện VLSI để kết nối 18A-P với công việc trước đó trên Intel 18A. Công ty đã đưa transistor gate-all-around và phân phối nguồn điện mặt sau ra thị trường năm ngoái. Những công nghệ đó hiện hỗ trợ các cải tiến quy trình tiếp theo và kế hoạch thu nhỏ trong tương lai.

Intel trình bày nghiên cứu cho thấy giảm 11% diện tích định tuyến và giảm 10 lần sụt áp động. Công ty cho biết những cải tiến đó có thể hỗ trợ tần số cao hơn tới 6%. Chúng cũng có thể giảm hơn 15% năng lượng động so với công nghệ mặt trước tương đương.

Intel cũng trình bày nghiên cứu dài hạn trên CFET, tích hợp GaN và kết nối ruthenium. Công việc CFET của công ty xếp chồng các thiết bị NMOS và PMOS ở bước cổng 45nm. Trong khi đó, các nghiên cứu GaN và ruthenium nhắm vào quản lý năng lượng, thu nhỏ kết nối và hiệu quả chip trong tương lai.

The post Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap appeared first on CoinCentral.