インテル コーポレーション（INTC）株：18A-Pリスク生産がファウンドリーロードマップを強化

TLDR

• IntelはVLSIで18A-Pがリスク生産に入り、3.05%上昇。
• Intel Foundryが18A-Pのロードマップ進捗を確認し、INTCが上昇。
• Intel 18A-Pが電力、パフォーマンス、設計柔軟性の向上をもたらす。
• IntelがCFET、GaN、ルテニウムにわたるチップスケーリング作業を概説。
• Intel Foundryのアップデートが乱高下後のINTC株を支える。

Intel Corporation（INTC）株は、荒れた取引セッションが力強い回復で終了した後、3.05%高の120.61まで上昇した。株価は序盤に下落したが、その後持ち直し、日中高値付近で引けた。この動きは、2026年VLSIシンポジウムでのIntel Foundryの新たなアップデートを受けたものだ。

Intel Corporation、INTC

Intel 18A-Pがリスク生産に突入

Intel Foundryは、Intel 18A-Pがリスク生産に入ったと発表し、昨年顧客と共有したタイムラインに沿ったものとなった。このアップデートは、Intel 18Aプロセスファミリーにおける初のパフォーマンス強化を示すものだ。また、長期的なファウンドリー実行に関するIntelのメッセージを強化した。

同社はIntel 18A-Pを、Intel 18Aと設計互換のアップグレードとして提示した。その互換性により、顧客は既存の知的財産と設計フローを再利用できる。このアプローチにより、チップ設計者が強化されたプロセスへ移行する際の摩擦を軽減できる。

Intelは、18A-Pが同一電力で9%高いパフォーマンスを提供すると述べた。また、同一パフォーマンスレベルで18%の電力削減も実現する。さらに、このプロセスはより優れた熱特性と幅広い設計オプションを追加する。

プロセスアップデートがパフォーマンスと電力向上をサポート

IntelはIntel 18A-P向けにPower Boostというデュアルコンタクトトランジスタオプションを導入した。この機能は抵抗を低減し、駆動電流を増加させ、同一静電容量でより高い周波数をサポートする。その結果、設計者はチップパフォーマンスを向上させる別の手段を得ることができる。

同社はまた、20%〜40%優れた熱抵抗を報告した。Intelは材料と形状の変更により、ビア抵抗が10%〜30%改善したことを挙げた。これらのアップデートは、チップ層全体における熱流、電力供給、信号の移動を対象としている。

Intelはまた、新たな低消費電力および高性能トランジスタオプションを追加した。ULVTとLVTの間に5番目のロジック電圧しきい値ペアを含めた。これにより、設計者は速度、電力、効率のバランスを取る際により多くの柔軟性を得られる。

VLSIプレゼンテーションが長期的な文脈を補足

IntelはVLSIイベントを活用し、18A-PをIntel 18Aに関する以前の取り組みと結びつけた。同社は昨年、ゲートオールアラウンドトランジスタとバックサイド電力供給を市場に投入した。これらの技術は現在、次のプロセス改善と将来のスケーリング計画を支えている。

Intelは、配線面積が11%削減され、動的電圧ドループが10倍低減されたことを示す研究を発表した。同社はこれらの成果により、最大6%の周波数向上が可能になると述べた。また、同等のフロントサイド技術と比較して15%以上の動的電力削減も実現できるとしている。

Intelはまた、CFET、GaN統合、ルテニウムインターコネクトにわたる長期研究も披露した。CFETの取り組みでは、45nmゲートピッチでNMOSとPMOSデバイスを積層した。一方、GaNとルテニウムの研究は、電力管理、インターコネクトスケーリング、将来のチップ効率を対象としていた。

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